Ну ты вопросы задаешь! Я тебе что, технолог полупроводников?
Давай разбираться.
По идее Cbe состоит (грубо) из двух частей, барьерная емкость и диффузионная емкость. Именно вторая сильно зависит от тока.
Ccb (опять же грубо) это только барьерная, т.е. зависимость от тока небольшая, только от напряжения. Она, значит, отпадает.
LAPT - многоэмиттерная структура, много (вроде читал где-то, что около 50) тонких, сравнительно высокоомных нарезок.
Вполне возможно (не уверен точно), что именно по этому диффуз. емкость на небольших токах сильно больше, тока на каждый участок попадает мало, рассасывается заряд долго.
С ростом тока это дело выправляется и емкость значительно уменьшается -> растет ft
т.е. на совсем низких токах Cbe получается даже больше, чем у одноэмиттерных, и быстро падает с током.
Все сугубо домыслы