В этой схеме, как впрочем и во многих других подразумевающих компенсацию Vbe, не менее важно подобрать элементы именно по этому параметру. Для импортных транзисторов из одной партии разброс по Vbe обычно невелик, но для токовых зеркал без резисторов в эмиттерах подбор по нему не менее важен, чем по h21e, а с резисторами в эмиттерах более важен, чем по h21e. Транзисторы различной полярности, даже комплиментарные, в силу технологических отличий могут существенно отличаться по этому параметру. Поскольку подразумевается термокомпенсация за счет теплового контакта транзисторов, а Vbe косвенно отражает технологический множитель при Фт в экспоненте температурной зависимости тока от напряжения P-N перехода, то именно этот параметр один из определяющих температурную стабильность схемы.
Упрощенно можно замерить напряжение тестером показывающим падение напряжения при прозвонке диодов. Естественно, переход база-эмиттер в прямом направлении.
