Diyfactory Forum
Основные форумы => Вопросы и ответы => Тема начата: azot от Марта 25, 2008, 04:07:32 pm
-
Прошу прощения если вопрос звучит по дилетантски... но.. по каким критериям матчить нпн с пнп? Схема применения этой пары выглядит так (http://www.till.com/arptech/pdf/4027.pdf). В качестве замены TZ581/TZ81 предлагается 2N3904/06. Подбирать ли номиналы по Hfe как с парой одной полярности или в случае с разными полярностями может подразумеваться какое-то специфическое соотношение показателей (в контексте моей схемы)?
-
Собственно, больше не по чему их подбирать )
У транзисторов есть 3 параметра основных - h21э (кстате, он сильно зависит от температуры, так, что подбирать нужно в одинаковых условиях и в схеме наляпать термопасты между корпусами)
Второй - собственный шум.
Ну и частота еденичного усиления.
-
Спасибо! Просто меня немного смутила схема ratiometr'а которая шла в пакете патентов к этому осциллятору. Закралось подозрение что между транзисторами должно быть некое определенное соотношение Hfe
-
Кстате, Азот - попробуй схемку в симуляторе погонять. Заодно выяснишь что и на что влияет. И уже не слепо собирать будешь.
-
В этой схеме, как впрочем и во многих других подразумевающих компенсацию Vbe, не менее важно подобрать элементы именно по этому параметру. Для импортных транзисторов из одной партии разброс по Vbe обычно невелик, но для токовых зеркал без резисторов в эмиттерах подбор по нему не менее важен, чем по h21e, а с резисторами в эмиттерах более важен, чем по h21e. Транзисторы различной полярности, даже комплиментарные, в силу технологических отличий могут существенно отличаться по этому параметру. Поскольку подразумевается термокомпенсация за счет теплового контакта транзисторов, а Vbe косвенно отражает технологический множитель при Фт в экспоненте температурной зависимости тока от напряжения P-N перехода, то именно этот параметр один из определяющих температурную стабильность схемы.
Упрощенно можно замерить напряжение тестером показывающим падение напряжения при прозвонке диодов. Естественно, переход база-эмиттер в прямом направлении.
-
В этой схеме, как впрочем и во многих других подразумевающих компенсацию Vbe, не менее важно подобрать элементы именно по этому параметру. Для импортных транзисторов из одной партии разброс по Vbe обычно невелик, но для токовых зеркал без резисторов в эмиттерах подбор по нему не менее важен, чем по h21e, а с резисторами в эмиттерах более важен, чем по h21e. Транзисторы различной полярности, даже комплиментарные, в силу технологических отличий могут существенно отличаться по этому параметру. Поскольку подразумевается термокомпенсация за счет теплового контакта транзисторов, а Vbe косвенно отражает технологический множитель при Фт в экспоненте температурной зависимости тока от напряжения P-N перехода, то именно этот параметр один из определяющих температурную стабильность схемы.
Упрощенно можно замерить напряжение тестером показывающим падение напряжения при прозвонке диодов. Естественно, переход база-эмиттер в прямом направлении.
Спасибо огромное! У подобраной мною пары (по h21e в пределах ~1mV) Vbe оказалось в пределах ~30 mV. Однако, человек который много лет занимается сервисом АРПов посоветовал вообще не подбирать а буквально взять наугад пару транзюков. Если трекинг нехорош попробовать другую пару. Повышенные требования в этом узле предъявляются только к темпке которая на базе pnp.